SIZF914DT-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 25V 23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 3.4W（Ta），26.6W（Tc），4W（Ta），60W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（6x5）
物料参数
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 21nC @ 10V，98nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1050pF @ 10V，4670pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 3.4W（Ta），26.6W（Tc），4W（Ta），60W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PowerPair®（6x5） |
无库存